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DMN52D0UV-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0UV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0UV-7
Price: 394 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN52D0UV-7

Fabricante N.º:

DMN52D0UV-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

Hoja de datos:

DMN52D0UV-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$394	$394
	$288	$2.880
	$181	$18.100
	$134	$67.000
	$103	$103.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$89,6	$268.800
	$77,8	$466.800
	$62	$558.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT563-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	480 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	490 mV
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	38.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1.05 ns

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0UV N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Channel Enhancement Mode MOSFET is a dual N-channel MOSFET designed to minimize R_DS(ON) and maintain impressive switching performance. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed, low input/output leakage, and an ultra-small surface mount package. The DMN52D0UV MOSFET is ESD-protected, Lead-free, RoHS compliant, and Halogen and Antimony free. This MOSFET offers a very low gate threshold voltage and operates within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include battery management systems, power management functions, and load switches.