Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs deliver application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, AI, and more. The MOSFETs are available in hard-switching and soft-switching topologies. The hard-switching-optimized devices feature outstanding Miller ratios, FOMs, and R_DS(on). The MOSFETs optimized for soft switching offer ultra-low R_DS(on) and FOMQ_g.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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1.7 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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338 A

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OptiMOS

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282 A

800 uOhms

16 V

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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275 A

840 uOhms

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IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
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