AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

Resultados: 119
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET
3.000Se espera el 12-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 134 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems. Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT HPLF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4.4 mOhms 20 V 2.5 V 19.1 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems. Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT HPLF-5 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 30 mOhms 20 V 2.5 V 9.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT HPLF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT HPLF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4.5 mOhms 20 V 4 V 19.1 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 45 V 4.5 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 60 V 40 A 24 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V Vds -2A 0.18Rds(on) 4.9Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363T-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 135 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 4.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 3.5A 0.056Rds(on) 4.6Qg Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363T-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT UMT-3 N-Channel 1 Channel 30 V 300 mA 800 mOhms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vds -6A 0.038Rds(on) 23Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 45 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 45 V 4.5 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 45 V 6 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6 A, 7 A 28 mOhms, 30 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V, 2.5 V 7.2 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5 A, 3.5 A 51 mOhms, 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.9 nC, 5.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel