Resultados: 112
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET 1.962En existencias
3.000Se espera el 25-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 N-Channel 1 Channel 45 V 2.5 A 130 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T 3.684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 95 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 45V 3A 2.918En existencias
3.000Se espera el 18-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 N-Channel 1 Channel 45 V 3 A 67 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4A Small Signal MOSFET 3.748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23 23.392En existencias
105.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 2.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg 1.923En existencias
3.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323T-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 54 mOhms - 10 V, 10 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 20V Vds 3.5A 0.066Rds(on) 5.7Qg 3.362En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363T-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Drive 5A Nch MOSFET 528En existencias
3.000Se espera el 05-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel 1 Channel 20 V 5 A 30 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Drive 4A Nch MOSFET 1.781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 35 mOhms - 10 V, 10 V 1.3 V 8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3Rds(on) SOT-363 154En existencias
3.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, NPN 2 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 6.5A 0.031Rds(on) 11Qg 2.114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 10A 0.0135Rds(on) 14Qg 1.214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg 379En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 3 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified) 298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 550 mOhms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg 120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SMT3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 400 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 0.2A 2.2Rds(on) 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UMT-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 1.6 Ohms - 12 V, 12 V 500 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 9A Middle Power MOSFET 220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 9A 0.017Rds(on) 15Qg 92En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7 A, 9 A 12 mOhms, 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 15 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
2.459Se espera el 10-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 45 V 8 A 91 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2.500Se espera el 21-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.3 mOhms 20 V 2.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2.500Se espera el 21-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
2.500Se espera el 21-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5.3 mOhms 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
72.000Se espera el 08-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vdss 45A ID TO-263(D2PAK); LPTS
2.000Se espera el 28-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
5.991Se espera el 02-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel 1 Channel 80 V 3 A 131 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel