OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

Resultados: 68
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2.472En existencias
5.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 222 A 1.13 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8.672En existencias
10.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.82 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 131En existencias
30.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 414 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 98 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 148En existencias
55.000Se espera el 06-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 82 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 213En existencias
65.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 960 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 66En existencias
10.000Se espera el 27-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 430 A 520 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 6En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 96En existencias
10.000Se espera el 03-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
35.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
113.620En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 518 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
121.200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.02 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
43.608Se espera el 11-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 274 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
29.372En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
10.000Se espera el 03-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 532 A 590 uOhms 1.5 V 146 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
4.970Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
5.271En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
20.000Se espera el 03-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
4.993Se espera el 03-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape