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RD3G08CBLHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08CBLHRBTL
Price: 2629 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3G08CBLHRBTL

Fabricante N.º:

RD3G08CBLHRBTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:

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	$1.704	$17.040
	$1.172	$117.200
	$940	$470.000
	$901	$901.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$878	$2.195.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET is a 40V, 80A, 100% Avalanche-tested semiconductor device with a low on-resistance. This power MOSFET features a ±160A pulse drain current, ±20V gate-source voltage, and 96W power dissipation. The RD3G08CBLHRB N-channel power MOSFET is AEC-Q101 qualified, RoHS-compliant, and comes in a TO-252 (DPAK) package. This power MOSFET operates within the -55°C to 175°C temperature range. Typical applications include Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), infotainment, lighting, and body electronics.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.