UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs

Toshiba UMOS9-H Silicon N-channel MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-to-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. These MOSFETs boast a small gate charge, a small output charge, low drain-source on-resistance, and low leakage current. The UMOS9-H N-channel MOSFETs feature 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 175°C channel temperature. These MOSFETs also feature ±0.1µA gate leakage current, 10µA drain cut-off current, and a -55°C to 175°C storage temperature range. The UMOS9-H N-channel MOSFETs are RoHS-compliant and come in a 0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N)) package.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
Hoja de datos
10.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
Hoja de datos
4.155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Hoja de datos
4.710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm
Hoja de datos
4.833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A
Hoja de datos
5.977En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
Hoja de datos
5.000Se espera el 16-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape