Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

Resultados: 148
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 30A 6.0W No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.6A 6.25W
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 16.2A 5.0W
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.2 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 5.2 W Enhancement TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13A 1.4W No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13A 3.1W 9.5mohm @ 10V No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 5.0A 3.0W
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 5.0A 3.0W 65mohm @ 4.5V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16V 25A 3.5W 3.3mohm @ 4.5V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.0W 7.0mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si TrenchFET Reel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI41
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 TrenchFET Reel