Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 683 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

637-MMFTP2319

Fabricante N.º:

MMFTP2319

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Hoja de datos:

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diotec Semiconductor MMFTP2319

En existencias: 3.733

Existencias:: 3.733 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$683	$683
	$483	$4.830
	$337	$33.700
	$296	$148.000
	$274	$274.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$203	$609.000
	$151	$1.359.000
	$147	$3.528.000
	$112	$5.040.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	750 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	MMFTN/P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.