FDT4N50NZU

onsemi
863-FDT4N50NZU
FDT4N50NZU

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET II 3OHM SOT223

Modelo ECAD:
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En existencias: 4.788

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.076 $2.076
$1.309 $13.090
$890 $89.000
$706 $353.000
$646 $646.000
$578 $1.156.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
$578 $2.312.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
500 V
2 A
3 Ohms
- 25 V, 25 V
5.5 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: FDT4N50NZU
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
República Checa
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.