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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 685 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RA1C030LDT5CL

Fabricante N.º:

RA1C030LDT5CL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Hoja de datos:

RA1C030LDT5CL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$685	$685
	$425	$4.250
	$273	$27.300
	$207	$103.500
	$167	$167.000
	$147	$735.000
	$130	$1.300.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$124	$1.860.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WLCSP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	140 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 50 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Alias de las piezas n.º:	RA1C030LD

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET is an N-channel MOSFET designed with a low on-resistance and high power package. This device features a 20V_DSS drain-source voltage, 3A continuous drain current, and 1W power dissipation. The RA1C030LD MOSFET offers 1.8V drive voltage, Electro-Static Discharge (ESD) protection up to 200V (MM), and up to 2kV (HBM). This MOSFET is suitable for switching circuits, single-cell battery applications, and mobile applications. The RA1C030LD MOSFET is Pb-free, halogen-free, and RoHS-compliant device.