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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
Hoja de datos
327En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK
Hoja de datos
2.355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
Hoja de datos
761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3
Hoja de datos
527En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 61MOHM FOR
Hoja de datos
3.000Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape