IPB048N15N5LFATMA1
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
En existencias: 8.455
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
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|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| $7.556 | $7.556 | |
| $5.102 | $51.020 | |
| $3.712 | $371.200 | |
| $3.538 | $1.769.000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| $3.303 | $3.303.000 | |
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Buck converters negative spike at phase node (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
- MOSFET Linear FET combined advantages of planar and trench MOSFETs (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ datasheet explanation (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ optimum selection for synchronous rectification (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
Other
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Chile
