Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
1: $5.951
3.440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86563-F085

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512-FDBL86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

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3.440En existencias

Cinta cortada

$5.951

$4.427

$3.200

$2.965

$2.761

Envase tipo carrete

$2.761

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: $5.879
3.965En existencias

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FDBL86363-F085

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512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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3.965En existencias

Cinta cortada

$5.879

$3.926

$2.812

$2.536

$2.362

Envase tipo carrete

$2.362

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
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2.652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

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512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

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2.652En existencias

Cinta cortada

$3.436

$2.239

$1.554

$1.258

$1.227

Envase tipo carrete

$1.135

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH041N65F-F085
onsemi
1: $16.012
358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65F-F085

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512-FCH041N65F_F085

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

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358En existencias

$16.012

$9.846

$9.652

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
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1: $4.611
2.691En existencias

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FDBL86366-F085

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512-FDBL86366_F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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Cinta cortada

$4.611

$3.047

$2.147

$1.830

$1.718

Envase tipo carrete

$1.697

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH077N65F-F085
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888En existencias
NRND

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FCH077N65F-F085

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512-FCH077N65F_F085

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

888En existencias

$12.106

$7.055

$6.707

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

184 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: $7.331
5.753En existencias
4.000Se espera el 16-06-2026

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FDBL86361-F085

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512-FDBL86361F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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5.753En existencias

4.000Se espera el 16-06-2026

Cinta cortada

$7.331

$4.949

$3.589

$3.466

Envase tipo carrete

$3.170

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
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1: $5.552
3.799En existencias

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FDB86563-F085

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512-FDB86563_F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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Cinta cortada

$5.552

$3.691

$2.638

$2.526

Envase tipo carrete

$2.341

$2.178

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
1: $7.331
4.004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86210-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

Hoja de datos

4.004En existencias

Cinta cortada

$7.331

$4.939

$3.589

$3.579

$3.456

Envase tipo carrete

$3.159

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
1: $6.881
3.946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86561-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

3.946En existencias

Cinta cortada

$6.881

$4.622

$3.343

$3.119

$2.904

Envase tipo carrete

$2.904

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
1: $2.362
10.672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD13AN06A0-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Hoja de datos

10.672En existencias

Cinta cortada

$2.362

$1.523

$1.033

$819

Envase tipo carrete

$720

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: $3.149
3.176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

3.176En existencias

Cinta cortada

$3.149

$1.932

$1.431

$1.155

$1.104

Envase tipo carrete

$1.022

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: $2.444
3.939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

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3.939En existencias

Cinta cortada

$2.444

$1.575

$1.074

$851

$781

Envase tipo carrete

$716

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
onsemi
1: $2.495
1.125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDD9409-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

1.125En existencias

Cinta cortada

$2.495

$1.626

$1.114

$917

$890

Envase tipo carrete

$851

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: $1.135
9.794En existencias
159.000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

9.794En existencias

159.000En pedido

Cinta cortada

$1.135

$712

$465

$360

Envase tipo carrete

$263

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9.000

: 3.000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: $1.012
1.823En existencias
24.000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

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Hoja de datos

1.823En existencias

24.000En pedido

Cinta cortada

$1.012

$632

$411

$316

$258

Envase tipo carrete

$229

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH104N60F-F085
onsemi
1: $7.648
900Se espera el 21-07-2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH104N60F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

900Se espera el 21-07-2026

$7.648

$4.427

$3.947

$3.875

$3.671

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

275 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

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