BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.6 mOhms 20 V 2.05 V 38 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q45-80L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q7R0-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 62 A 7 mOhms 20 V 2.05 V 23 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q12-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q20-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 8.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 29 mOhms 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q17-80L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q19-100L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q28-80L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q32-100L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q34-80L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q39-100L/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
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3.000Se espera el 07-06-2027
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Si SMD/SMT MLPAK56-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 4.5 mOhms 20 V 2.15 V 36 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel