Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1 Channel

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Reel, Cut Tape

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$3.013

$2.934

Envase tipo carrete

$2.464

$2.386

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Enhancement

CoolMOS

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Enhancement

CoolMOS

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IPB65R050CFD7AATMA1
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IPD80R280P7ATMA1
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IPD80R360P7ATMA1
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5.394En existencias
9.000Se espera el 30-04-2026

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IPN70R360P7SATMA1

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726-IPN70R360P7SATMA

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9.000Se espera el 30-04-2026

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$1.445

$908

$620

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Envase tipo carrete

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Ver

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
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IPS70R1K4P7SAKMA1

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726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

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$336

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.590
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

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726-IPW60R055CFD7XKS

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
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906En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAW60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1

NRND

Infineon Technologies

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$2.542

$1.165

$972

$849

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.488
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

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191En existencias

$5.488

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.690
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

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726-IPA60R060P7XKSA1

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727En existencias

$5.690

$3.203

$2.923

$2.419

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600 V

48 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.054
1.594En existencias

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IPA60R120P7XKSA1

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726-IPA60R120P7XKSA1

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1.594En existencias

$4.054

$2.061

$1.870

$1.557

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1 Channel

600 V

26 A

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3 V

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+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.061
4.057En existencias
1.500Se espera el 16-07-2026

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IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

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4.057En existencias

1.500Se espera el 16-07-2026

$2.061

$987

$883

$699

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600 V

12 A

214 mOhms

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3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.758
3.296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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3.296En existencias

$1.758

$762

$599

$503

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

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+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.254
15.558En existencias
60.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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15.558En existencias

60.000En pedido

$1.254

$635

$594

$487

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

600 mOhms

- 16 V, 16 V

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10.5 nC

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+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.195
840En existencias
2.000Se espera el 02-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

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840En existencias

2.000Se espera el 02-03-2026

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$9.195

$6.317

$4.917

$4.906

Envase tipo carrete

$4.010

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.078
1.073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

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1.073En existencias

Cinta cortada

$7.078

$5.421

$4.379

$3.898

Envase tipo carrete

$3.338

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.621
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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860En existencias

Cinta cortada

$2.621

$2.408

Envase tipo carrete

$2.083

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.606
4.315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

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4.315En existencias

Cinta cortada

$3.606

$2.408

$1.736

$1.490

Envase tipo carrete

$1.210

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.733
3.806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3.806En existencias

Cinta cortada

$2.733

$1.758

$1.210

$961

$922

Envase tipo carrete

$793

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

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3.214En existencias

Cinta cortada

$986

$880

$823

$820

$816

Envase tipo carrete

$706

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.307
3.494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3.494En existencias

Cinta cortada

$2.307

$1.478

$1.007

$853

Envase tipo carrete

$666

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.613
5.347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5.347En existencias

Cinta cortada

$1.613

$1.077

$735

$580

Envase tipo carrete

$419

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W