R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (trr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

Resultados: 73
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2.957En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2.436En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 307 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
526En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
2.407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 585 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 22 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
Hoja de datos
2.394En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
288En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 0A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2.407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 600 V 500 mA 8.8 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 286 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 42 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 253 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
89En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube