TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 10.215En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8 4.441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 46 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 7.186En existencias
2.900Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 50 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V 1.417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 8.737En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 117 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 10.959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 30 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 35 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 60A 83W 1.604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 2.116En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.4 nC - 55 C + 150 C 27.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1.880En existencias
3.000Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 90 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 1.608En existencias
3.000Se espera el 23-02-2026
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 16 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1.245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V 58En existencias
3.000Se espera el 11-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel