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STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 5010 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP80N450K6

Fabricante N.º:

STP80N450K6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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	$2.352	$235.200
	$1.943	$971.500
	$1.769	$1.769.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	450 mOhms
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET is a very high voltage N-channel Power MOSFET designed using the ultimate MDmesh K6 technology. This technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.