MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
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329En existencias

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IMBG120R060M1HXTMA1

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726-IMBG120R060M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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329En existencias

Cinta cortada

$10.102

$6.707

$5.450

Envase tipo carrete

$5.082

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $13.169
641En existencias

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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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641En existencias

Cinta cortada

$13.169

$9.315

$8.067

$7.801

Envase tipo carrete

$7.290

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

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227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
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1: $6.073
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

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$6.073

$3.834

$3.159

$3.047

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

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5.7 V

5.3 nC

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60 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R107M1HXKSA1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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TO-247-4

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650 V

20 A

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75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
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$4.100

$3.804

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

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96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
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3.715En existencias
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IMBF170R450M1XTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$5.010

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$3.221

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
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$6.258

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$3.006

$2.750

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

TO-263-7

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8 nC

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88 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBG120R030M1HXTMA1
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$16.124

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$10.501

Envase tipo carrete

$9.100

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SMD/SMT

TO-263-7

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56 A

41 mOhms

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5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
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$4.376

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$3.998

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

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5.1 V

23 nC

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+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$7.607

$4.939

$3.742

$3.609

Envase tipo carrete

$3.374

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $5.838
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IMBG120R350M1HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$5.838

$3.896

$2.791

$2.536

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$2.372

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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.310
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IMZ120R030M1HXKSA1

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238En existencias

$17.310

$10.664

$9.775

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.233
379En existencias

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IMZ120R140M1HXKSA1

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726-IMZ120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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379En existencias

$9.233

$5.757

$5.174

$4.049

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.061
1.300En existencias
NRND

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IMW65R027M1HXKSA1

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726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

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1.300En existencias

$15.061

$11.493

$9.090

$8.425

$8.200

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.071
477En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

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726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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477En existencias

$10.071

$7.106

$5.920

$5.276

$4.928

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.086
480Se espera el 11-06-2026

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IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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480Se espera el 11-06-2026

$17.086

$10.767

$9.898

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.781
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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Hoja de datos

388En existencias

$7.781

$4.775

$4.008

$3.712

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.503
417En existencias
480Se espera el 25-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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417En existencias

480Se espera el 25-06-2026

$6.503

$3.691

$3.078

$2.710

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.523
65En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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65En existencias

960En pedido

$11.523

$7.444

$6.350

$5.767

$5.757

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.112
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R090M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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199En existencias

$10.112

$6.462

$5.286

$4.744

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $8.108
63En existencias
1.920En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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63En existencias

1.920En pedido

$8.108

$5.051

$4.141

$3.620

$3.476

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.260
342En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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342En existencias

$7.260

$4.151

$3.476

$3.108

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.562
18En existencias
1.200En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

18En existencias

1.200En pedido

$15.562

$11.850

$9.877

$8.793

$8.221

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.480
29En existencias
240Se espera el 29-04-2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

29En existencias

240Se espera el 29-04-2027

$10.480

$6.810

$5.450

$5.143

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.460
11.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

11.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$5.460

$3.630

$2.945

$2.464

Envase tipo carrete

$2.137

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms