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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL 41En existencias
3.000Se espera el 13-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V U8FL 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL 8En existencias
6.000Se espera el 29-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 105 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTTFS022N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM POWERCLIP33 1.368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 47.2 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 71.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS0D5N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION 146En existencias
3.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 464 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 64MOHM MOSFET
5.952En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL
6.000Se espera el 21-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 1.6 MOHMS MAX
15.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 267 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 106 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM PQFN56
3.000Se espera el 25-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 41.9 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 80.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
1.261Se espera el 17-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 362 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 149 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 43 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 66 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega no en existencias 43 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel