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NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 1624 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFS6H850NLTAG

Fabricante N.º:

NTTFS6H850NLTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Hoja de datos:

NTTFS6H850NLTAG Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.624	$1.624
	$1.038	$10.380
	$713	$71.300
	$568	$284.000
	$556	$556.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$461	$691.500
	$412	$1.236.000
	$407	$3.663.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	73 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	64.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Serie:	NTTFS6H850NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	29,570 mg

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NTTFS6H850NLTAG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.