SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

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$1.329 $664.500
$1.299 $1.299.000
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns, 12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 68 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns, 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: N - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 30 ns, 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns, 19 ns
Peso de la unidad: 506,600 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring low RDS - Qg Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest RDS to Qoss FOM and 100% Rg and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

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