DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Hoja de datos
25.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
86.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si V-DFN3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 29.6 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 24 V 50 A 7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 46.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
46.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.65 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel