DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1.976En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.7 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V 51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 111.7 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 108 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 187En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 782En existencias
2.500Se espera el 30-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 3.008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K 518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 46.3 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.4 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1.771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1.463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1.695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 2.2 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 68 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A 428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A 1.592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 77En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1.143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1.031En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 43.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 42.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1.668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 49 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 4.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1.327En existencias
2.500Se espera el 15-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 689En existencias
5.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 60 V 47.6 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40.2 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube