DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 60 V 8.9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.4 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMT10H010LPSW-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Reel
Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si Reel
Diodes Incorporated DMT10H010SPSW-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Reel
Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si Reel