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NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 2353 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

698-NVMFS4C306NT1G

Fabricante N.º:

NVMFS4C306NT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

NVMFS4C306NT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.353	$2.353
	$1.516	$15.160
	$1.034	$103.400
	$824	$412.000
	$754	$754.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$754	$1.131.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	11.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	58 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	NVMFS4C306N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C306N Power MOSFETs

onsemi NVMFS4C306N Power MOSFETs offer 30V drain-to-source voltage, 3.4mΩ R_DS(ON), and 71A continuous drain current. The automotive power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat lead SO8-FL package developed for compact and efficient designs.