DMTH8001STLWQ-13

Diodes Incorporated
621-DMTH8001STLWQ-13
DMTH8001STLWQ-13

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.610

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.820 $5.820
$4.156 $41.560
$3.003 $300.300
$2.994 $1.497.000
$2.797 $2.797.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$2.797 $4.195.500

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
270 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
138 nC
- 55 C
+ 175 C
6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Diodes Incorporated
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DMTH8001STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH8001STLW Automotive Enhancement-Mode MOSFET is an N-channel MOSFET featuring a low on-resistance (1.1mΩ typical, 1.7mΩ maximum) and superior switching performance. The DMTH8001STLW has an 80V drain-source voltage, a 1µA zero gate voltage drain current, and ±100nA gate-source leakage. This device is AEC-Q101 qualified, supported by a PPAP, and optimized for automotive applications.