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R8009KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8009KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8009KNXC7G
Price: 5194 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R8009KNXC7G

Fabricante N.º:

R8009KNXC7G

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

R8009KNXC7G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.341	$1.170.500
	$2.188	$2.188.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FM-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	600 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	59 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	30 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Alias de las piezas n.º:	R8009KNX

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R8009KNX N-Channel 800V 9A Power MOSFET

ROHM Semiconductor R8009KNX N-Channel 800V 9A Power MOSFET is a low on-resistance device with fast switching. The R8009KNX features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.