CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

Resultados: 42
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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187En existencias
Min.: 1
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Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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376En existencias
Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
578En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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431En existencias
Min.: 1
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Carrete: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1.988En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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482En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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666En existencias
Min.: 1
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1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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682En existencias
Min.: 1
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Carrete: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
706En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC