MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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Resultados: 45

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $19.008
198En existencias
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IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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198En existencias

$19.008

$15.470

$12.893

$11.288

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.904
235En existencias
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IMY120R036AM2HXKSA1

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235En existencias

$12.904

$10.092

$8.415

$7.362

$7.004

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.587
225En existencias
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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225En existencias

$12.587

$9.846

$8.210

$7.188

$6.830

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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $27.228
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IMZA120R012M2HXKSA1

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$17.443

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N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

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5.1 V

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480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $20.552
147En existencias
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$20.552

$12.852

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.276
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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

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5.1 V

60 nC

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+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $42.105
302En existencias
480Se espera el 18-06-2026
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302En existencias

480Se espera el 18-06-2026

$42.105

$35.919

$31.421

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Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

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- 10 V, + 25 V

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+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.627
111En existencias
240Se espera el 11-06-2026
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IMZA120R022M2HXKSA1

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240Se espera el 11-06-2026

$17.627

$10.869

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

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+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.822
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IMZA120R034M2HXKSA1

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$12.822

$7.699

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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.208
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IMZA120R040M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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137En existencias

$12.208

$7.290

$6.217

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Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

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+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $43.568
621En existencias
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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$43.568

$34.376

$32.095

Envase tipo carrete

$32.095

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Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.627
1.705En existencias
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IMZC120R022M2HXKSA1

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726-IMZC120R022M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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1.705En existencias

$17.627

$10.869

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $14.437
1.855En existencias
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IMCQ120R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R026M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Cinta cortada

$14.437

$10.245

$8.425

$8.262

Envase tipo carrete

$7.873

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.656
574En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R034M2HXTMA1

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726-IMCQ120R034M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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574En existencias

Cinta cortada

$11.656

$8.190

$6.615

$6.176

Envase tipo carrete

$6.176

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.523
270En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R040M2HXTMA1

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726-IMCQ120R040M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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270En existencias

Cinta cortada

$11.523

$7.965

$6.176

$5.767

Envase tipo carrete

$5.767

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.621
377En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

377En existencias

Cinta cortada

$9.621

$6.360

$4.908

$4.581

Envase tipo carrete

$4.581

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.487
919En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R078M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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919En existencias

Cinta cortada

$8.487

$5.767

$4.223

$3.855

Envase tipo carrete

$3.855

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $24.028
712En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R026M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R026M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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712En existencias

Cinta cortada

$24.028

$17.607

$16.268

$15.194

Envase tipo carrete

$15.194

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $18.977
670En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R040M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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670En existencias

Cinta cortada

$18.977

$13.650

$12.034

$11.278

Envase tipo carrete

$11.278

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $16.206
331En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R053M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R053M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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331En existencias

Cinta cortada

$16.206

$11.523

$9.734

$9.090

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$9.090

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $27.228
296En existencias
480Se espera el 18-06-2026
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N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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296En existencias

480Se espera el 18-06-2026

$27.228

$17.443

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $20.552
654En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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654En existencias

$20.552

$12.852

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.276
553En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

553En existencias

$15.276

$9.304

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.617
827En existencias
240Se espera el 11-06-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
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1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W