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CSD16321Q5T

Name: Texas Instruments CSD16321Q5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16321Q5T
Price: 1979 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD16321Q5T

Fabricante N.º:

CSD16321Q5T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si

Hoja de datos:

CSD16321Q5T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.979	$1.979
	$1.339	$13.390
	$1.063	$106.300
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$1.063	$265.750
	$995	$497.500
	$963	$963.000
	$951	$2.377.500
	$925	$4.625.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD16321Q5

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.403

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	177 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	113 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	CSD16321Q5
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CSD16321Q5 N-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD16321Q5 N-Channel NexFET Power MOSFET is a 25V, 1.9mΩ, 5mm × 6mm SON NexFET™ power MOSFET that has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5V gate drive applications.