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DMTH10H1M7STLWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MTH10H1M7STLWQ13
Price: 5977 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-MTH10H1M7STLWQ13

Fabricante N.º:

DMTH10H1M7STLWQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Hoja de datos:

DMTH10H1M7STLWQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$3.003	$300.300
	$2.994	$1.497.000
	$2.797	$2.797.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$2.797	$4.195.500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	250 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	147 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	6 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

DMTH10H1M7STLWQ-13 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMTH10H1M7STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET is an N-channel MOSFET featuring a low on-resistance (1.4mΩ typical, 2.0mΩ maximum) and superior switching performance. The DMTH10H1M7STLWQ has a 100V drain-source voltage, a 1µA zero gate voltage drain current, and ±100nA gate-source leakage. This device is AEC-Q101 qualified, supported by a PPAP, and optimized for automotive applications.