Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
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TK1R4S04PB,LXHQ

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757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.505
16.702En existencias

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TPW1R104PB,L1XHQ

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757-TPW1R104PB,L1XHQ

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$1.176

$906

$800

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$738

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
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757-TK1R4F04PB,LXGQ

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$2.454

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$1.288

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SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
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MouseReel Disponible

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: 5.000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

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TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
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TK1R5R04PB,LXGQ

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$3.722

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$1.697

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$1.278

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Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

XPJ1R004PB,LXHQ
Toshiba
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XPJ1R004PB,LXHQ

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757-XPJ1R004PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

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: 1.500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

TPHR6503PL1,LQ
Toshiba
1: $3.211
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TPHR6503PL1,LQ

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757-TPHR6503PL1LQ

Toshiba

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Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

420 A

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110 nC

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210 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
1: $5.920
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TKR74F04PB,LXGQ

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757-TKR74F04PBLXGQ

Toshiba

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: 1.000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

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- 20 V, 20 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.485
4.230En existencias

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TPH1R104PB,L1XHQ

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757-TPH1R104PB,L1XHQ

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
1: $2.464
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TPHR9203PL1,LQ

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757-TPHR9203PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

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$1.084

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

610 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

81 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

TPH1R204PL1,LQ
Toshiba
1: $2.403
30.207En pedido

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TPH1R204PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R204PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

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$1.053

$835

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

74 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

TPH1R306PL1,LQ
Toshiba
1: $3.436
20.000Se espera el 16-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

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20.000Se espera el 16-10-2026

Cinta cortada

$3.436

$2.239

$1.554

$1.258

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$1.145

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

280 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: $3.844
9.681Se espera el 03-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
TPHR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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9.681Se espera el 03-07-2026

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$3.844

$2.515

$1.759

$1.431

$1.380

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$1.329

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: 5.000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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