Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ100N03MS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
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30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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30 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
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+ 150 C
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OptiMOS
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10
$1.068
100
$769
500
$620
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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40 A
11 mOhms
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+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G
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9.330 En existencias
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$2.240
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$1.422
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$560
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
10.3 mOhms
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ130N03LS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
2.913 En existencias
1
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10
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$224
10.000
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1.000
$260
10.000
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25.000
$197
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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35 A
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- 20 V, 20 V
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9.5 nC
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
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726-BSZ900N15NS3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
2.025 En existencias
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1
$2.173
10
$1.389
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$754
1.000
Ver
5.000
$558
1.000
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5.000
$558
25.000
Presupuesto
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
13 A
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- 20 V, 20 V
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38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB014N04NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
45 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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191 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
967 En existencias
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1
$3.046
10
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$1.400
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1.000
$1.005
2.000
Ver
2.000
$954
5.000
$948
10.000
$923
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
546 En existencias
800 En pedido
1
$2.374
10
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100
$1.051
500
$981
800
$684
2.400
Ver
2.400
$662
24.800
Presupuesto
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
103 A
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- 20 V, 20 V
2.2 V
51 nC
- 55 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
508 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.763
10
$2.453
100
$1.882
500
$1.568
1.000
Ver
1.000
$1.344
2.500
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25.000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
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1:
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1.026 En existencias
1
$3.730
10
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500
$1.635
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$1.266
9.600
$1.243
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
160 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
1:
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167 En existencias
1.600 Se espera el 05-03-2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
167 En existencias
1.600 Se espera el 05-03-2026
1
$3.214
10
$2.621
100
$2.229
500
$1.837
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$1.758
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
75 V
240 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
285 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
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853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
853 En existencias
1
$4.670
10
$3.058
100
$2.296
500
$2.038
800
$1.579
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC027N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.691
5.756 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5.756 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.691
10
$1.060
100
$703
500
$556
1.000
Ver
5.000
$400
1.000
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2.500
$473
5.000
$400
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS 5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.602
587 En existencias
5.000 Se espera el 03-09-2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
587 En existencias
5.000 Se espera el 03-09-2026
Embalaje alternativo
1
$1.602
10
$1.004
100
$666
500
$526
1.000
Ver
5.000
$391
1.000
$474
2.500
$391
5.000
$391
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.374
1.065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1.065 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.374
10
$1.523
100
$1.051
500
$890
1.000
Ver
5.000
$660
1.000
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5.000
$660
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ067N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.307
1.525 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ067N06LS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
1.525 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.307
10
$1.467
100
$974
500
$799
1.000
Ver
5.000
$576
1.000
$699
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$679
5.000
$576
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.523
5.000 Se espera el 13-08-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5.000 Se espera el 13-08-2026
Embalaje alternativo
1
$1.523
10
$960
100
$636
500
$522
1.000
Ver
5.000
$356
1.000
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$420
5.000
$356
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
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+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.624
10.000 Se espera el 27-08-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
10.000 Se espera el 27-08-2026
Embalaje alternativo
1
$1.624
10
$1.020
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500
$535
1.000
Ver
5.000
$398
1.000
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2.500
$442
5.000
$398
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
105 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
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726-BSZ110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
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726-BSZ0904NSI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
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942-IRF1010EZPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
8.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
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726-IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
69 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Tube