Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$4.491
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
3.532 En existencias
1
$4.491
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
85 A
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- 30 V, 30 V
5 V
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- 55 C
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350 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
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Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
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Presupuesto
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Si
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380 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Detalles
Si
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies
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Detalles
Si
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TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Detalles
Si
Through Hole
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N-Channel
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Enhancement
StrongIRFET
Tube
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IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
430 En existencias
1.000 Se espera el 02-03-2026
Embalaje alternativo
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Detalles
Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Embalaje alternativo
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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1.574 En existencias
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Presupuesto
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Detalles
Si
SMD/SMT
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1 Channel
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Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
261 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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265 En existencias
5.000 Se espera el 03-02-2027
1
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Detalles
Si
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TDSON-8
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1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
742 En existencias
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4.778 Se espera el 07-05-2026
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1
$3.562
10
$2.318
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Ver
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Si
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TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
10.250 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.187
10
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$372
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$264
10.000
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$252
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$244
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Detalles
Si
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TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
11.626 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.912
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$885
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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1 Channel
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
20.052 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Min.: 1
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Detalles
Si
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TDSON-8
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OptiMOS
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BSC0901NS
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
46 En existencias
Embalaje alternativo
1
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5.000
$343
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Min.: 1
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Detalles
Si
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TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.127 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Min.: 1
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Detalles
Si
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TDSON-8
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
5.007 En existencias
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
42.178 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Embalaje alternativo
1
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$478
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
45 nC
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
4.303 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.203
10
$2.072
100
$1.478
500
$1.243
1.000
Ver
5.000
$972
1.000
$1.154
5.000
$972
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1:
$1.960
1.599 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
1.599 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.960
10
$1.243
100
$828
500
$679
1.000
Ver
5.000
$489
1.000
$595
2.500
$577
5.000
$489
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
19.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.411
36.500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
36.500 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.411
10
$894
100
$591
500
$486
1.000
Ver
5.000
$332
1.000
$419
2.500
$392
5.000
$332
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
23 A
27.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.086
12.859 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
12.859 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.086
10
$668
100
$457
500
$358
5.000
$234
10.000
Ver
1.000
$299
2.500
$277
10.000
$222
25.000
$209
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0909NS
Infineon Technologies
1:
$963
402 En existencias
10.000 Se espera el 17-12-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0909NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
402 En existencias
10.000 Se espera el 17-12-2026
1
$963
10
$597
100
$388
500
$297
5.000
$183
10.000
Ver
1.000
$243
10.000
$180
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
34 V
36 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel