Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.256
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3.000 Se espera el 02-03-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2.498 En existencias
3.000 Se espera el 02-03-2026
Embalaje alternativo
1
$4.256
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$2.778
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$2.173
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1.000
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2.000
$1.478
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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34 A
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- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFB7730PBF
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7730PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
1.019 En existencias
2.000 Se espera el 05-03-2026
1
$2.722
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
982 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263
N-Channel
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270 A
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375 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
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Si
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1.289 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-7
N-Channel
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
BSC0904NSI
Infineon Technologies
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Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0904NSI
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
9.773 En existencias
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$344
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Detalles
Si
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78 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
770 En existencias
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Presupuesto
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
16.660 En existencias
1
$2.475
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Presupuesto
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Detalles
Si
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TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
8.748 En existencias
4.000 Se espera el 16-04-2026
1
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$884
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
25.376 En existencias
Embalaje alternativo
1
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$657
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Ver
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$774
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$647
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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230 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
6.548 En existencias
1
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Ver
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$513
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$493
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$429
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
12 nC
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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4.758 En existencias
20.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
4.758 En existencias
20.000 En pedido
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4.758 Se puede enviar inmediatamente
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10.000 Se espera el 08-05-2026
10.000 Se espera el 02-07-2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
$3.270
10
$2.128
100
$1.467
500
$1.221
1.000
Ver
5.000
$989
1.000
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2.500
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$989
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.5 mOhms
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- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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3.606 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
3.606 En existencias
5.000 Se espera el 02-04-2026
1
$3.046
10
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Ver
5.000
$905
1.000
$1.093
5.000
$905
25.000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
43 nC
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+ 150 C
104 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
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7.552 En existencias
2.200 Se espera el 02-03-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
7.552 En existencias
2.200 Se espera el 02-03-2026
Embalaje alternativo
1
$1.322
10
$513
100
$420
500
$389
1.000
Ver
5.000
$321
1.000
$372
2.500
$371
5.000
$321
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
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44 nC
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+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.352
3.717 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
3.717 En existencias
1
$2.352
10
$1.512
100
$1.017
500
$810
1.000
Ver
5.000
$627
1.000
$755
2.500
$729
5.000
$627
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
63 A
10.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.669
7.771 En existencias
10.000 Se espera el 30-07-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
7.771 En existencias
10.000 Se espera el 30-07-2026
1
$1.669
10
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100
$746
500
$604
5.000
$467
10.000
Ver
1.000
$556
10.000
$465
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
21 A
52 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.195
10.958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10.958 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.195
10
$1.400
100
$970
500
$822
5.000
$609
10.000
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1.000
$717
10.000
$599
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
149 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.523
6.218 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
6.218 En existencias
1
$1.523
10
$961
100
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500
$522
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$374
10.000
Ver
1.000
$451
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10.000
$357
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
113 A
3.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1:
$1.154
6.251 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
6.251 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.154
10
$715
100
$466
500
$358
5.000
$255
10.000
Ver
1.000
$325
2.500
$301
10.000
$243
25.000
$235
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
1:
$1.501
5.862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
5.862 En existencias
1
$1.501
10
$942
100
$624
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Ver
5.000
$336
1.000
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2.500
$405
5.000
$336
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
106 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
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+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.368
2.683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
10.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
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726-IPB107N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
2.219 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.746
10
$3.819
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$3.147
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
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942-IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
3.737 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
210 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
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$1.445
12.149 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
12.149 En existencias
1
$1.445
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
43 A
12.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel