Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
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942-IRFS7540TRLPBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
645 En existencias
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Si
SMD/SMT
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StrongIRFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
7.607 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
3.104 En existencias
3.200 Se espera el 12-11-2026
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
83 En existencias
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$2.156
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Si
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2.982 En existencias
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.065 En existencias
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Si
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Infineon Technologies
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624 En existencias
5.000 Se espera el 03-09-2026
Embalaje alternativo
1
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Si
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Si
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
1.011 En existencias
25.000 En pedido
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1.011 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15.000 Se espera el 24-09-2026
10.000 Se espera el 22-10-2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
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$2.945
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Si
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NS
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
45 En existencias
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1
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Detalles
Si
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TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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900 En existencias
15.000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
900 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5.000 Se espera el 17-09-2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.135
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$708
1.000
Ver
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$537
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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5.000 En pedido
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726-BSC0906NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
893 En existencias
5.000 En pedido
1
$1.209
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Comprar
Min.: 1
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
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61 En existencias
4.890 Se espera el 14-09-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
61 En existencias
4.890 Se espera el 14-09-2026
Embalaje alternativo
1
$2.535
10
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
24.769 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Si
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TDSON-8
N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.303
232 En existencias
5.000 Se espera el 10-12-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
232 En existencias
5.000 Se espera el 10-12-2026
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Min.: 1
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Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
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79 En existencias
15.000 Se espera el 15-10-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
79 En existencias
15.000 Se espera el 15-10-2026
1
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Comprar
Min.: 1
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1:
$1.325
3.557 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
3.557 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.325
10
$815
100
$535
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$271
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
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726-BSZ100N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
990 En existencias
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1:
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5.000 Se espera el 22-10-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
447 En existencias
5.000 Se espera el 22-10-2026
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
4.668 En existencias
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Si
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TSDSON-8
N-Channel
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
699 En existencias
5.000 Se espera el 29-10-2026
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1
$1.599
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
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150 V
13 A
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7 nC
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
188 En existencias
2.000 Se espera el 12-11-2026
1
$6.194
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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120 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
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$5.847
1.681 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1.681 En existencias
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$2.093
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel