Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

Resultados: 118
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
Hoja de datos
19.748En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 46 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
21.451En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
5.341En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
Hoja de datos
1.881En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 223 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4.845En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 34 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
Hoja de datos
1.495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
7.716En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
18.520En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 950 uOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 36 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
Hoja de datos
3.754En existencias
5.000Se espera el 22-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 74 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
14.753En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 82 A 4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
Hoja de datos
7.021En existencias
15.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
Hoja de datos
13.134En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
8.367En existencias
25.000En pedido
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 79 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 20 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
Hoja de datos
10.354En existencias
25.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
49.507En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
Hoja de datos
22.187En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 49 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
9.886En existencias
40.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 21 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
10.097En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
69.874En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
2.111En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
3.324En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
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2.206En existencias
3.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 271 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
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7.007En existencias
13.600En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 12 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
Hoja de datos
4.070En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 34.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
Hoja de datos
2.400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 285 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel