OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low RDS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

Resultados: 28
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.4 mOhms 20 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Hoja de datos
375En existencias
5.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 147 A 1.95 mOhms 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 4.7 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 3.65 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.736En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 184 A 1.53 mOhms 20 V 3 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1.743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.67 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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2.274En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Hoja de datos
2.427En existencias
5.000Se espera el 08-12-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
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5.880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5.289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
2.856En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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4.292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
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700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 166 A 2.36 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V\ 43 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 125 A 3.26 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 27 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
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698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V
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686En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 5.54 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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791En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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10.000En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
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12.363En existencias
Min.: 1
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: 5.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
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4.845En existencias
5.000Se espera el 27-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
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2.223En existencias
10.000Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

OptiMOS Reel, Cut Tape