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IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 6033 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

25-IS20M8R0S1P

Fabricante N.º:

IS20M8R0S1P

Fabricante:

iDEAL Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	iDEAL Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	128 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.1 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	iDEAL Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	US
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.9 ns
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.7 ns

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SuperQ Intro

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low R_DS(on)and Q_SW,resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.