X2-Class IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 71
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 30A N-CH X2CLASS Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 550V 14A N-CH X2CLASS Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 550V 36A N-CH X2CLASS Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Tube