STMicroelectronics MDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 1.000

Si MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si MDmesh Tube