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XSM6K519NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K519NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K519NWLXHF
Price: 975 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-XSM6K519NWLXHF

Fabricante N.º:

XSM6K519NW,LXHF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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	$609	$6.090
	$397	$39.700
	$305	$152.500
	$285	$285.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$240	$720.000
	$224	$1.344.000
	$222	$1.998.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	6.5 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	4.3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	U-MOSVIII-H
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	41 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.