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TK160F10N1L,LXGQ

Name: Toshiba TK160F10N1L,LXGQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK160F10N1LLXGQ
Price: 4589 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK160F10N1LLXGQ

Fabricante N.º:

TK160F10N1L,LXGQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

Hoja de datos:

TK160F10N1L,LXGQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.589	$4.589
	$3.033	$30.330
	$2.157	$215.700
	$2.009	$1.004.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$1.635	$1.635.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-220SM-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	122 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	40 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	U-MOSVIII-H
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	42 ns

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.