TK110A65Z,S4X
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Disponibilidad
-
Existencias:
-
0
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Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $5.761 | $5.761 | |
| $3.062 | $30.620 | |
| $2.757 | $275.700 | |
| $2.324 | $1.162.000 |
Hoja de datos
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Chile
