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SSM6K361NU,LF

Name: Toshiba SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K361NULF
Price: 640 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-SSM6K361NULF

Fabricante N.º:

SSM6K361NU,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

Hoja de datos:

SSM6K361NU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$640	$640
	$396	$3.960
	$274	$27.400
	$208	$104.000
	$183	$183.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$155	$465.000
	$140	$840.000
	$126	$1.134.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	UDFN-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	51 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVIII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SSM6K
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Peso de la unidad:	8,500 mg

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

MOSFETs for Industrial & Lighting Applications

Toshiba 60V and 100V Power MOSFETs for Industrial and Lighting Applications include the 60V SSM3K341 and the 100V SSM3K361 families. These MOSFETs feature industry-leading low on-resistance and are suited to load switching in television and industrial lighting. The devices are also good candidates for industrial automation systems that require low to medium power.

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.