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SP8M4HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M4HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M4HZGTB
Price: 3112 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SP8M4HZGTB

Fabricante N.º:

SP8M4HZGTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

SP8M4HZGTB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$3.112	$3.112
	$2.029	$20.290
	$1.408	$140.800
	$1.192	$596.000
	$1.093	$1.093.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.004	$2.510.000
	$968	$4.840.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A, 7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18 mOhms, 28 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	22 ns, 70 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6 S, 7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns, 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns, 110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns, 20 ns
Alias de las piezas n.º:	SP8M4HZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

SP8M4HZGTB Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.