Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SP8K41HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8K41HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8K41HZGTB
Price: 3125 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SP8K41HZGTB

Fabricante N.º:

SP8K41HZGTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

SP8K41HZGTB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SP8K41HZGTB

En existencias: 1.578

Existencias:: 1.578 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.125	$3.125
	$2.027	$20.270
	$1.400	$140.000
	$1.142	$571.000
	$1.112	$1.112.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$941	$2.352.500
	$930	$4.650.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	6.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	SP8K41HZG

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrar documento:

Hoja de datos

SP8K41HZGTB Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SP8K Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8K Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.