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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 1901 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR632DP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIR632DP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SIR632DP-T1-RE3 Hoja de datos

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	$1.152	$11.520
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	$649	$324.500
	$590	$590.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$518	$1.554.000
	$493	$2.958.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	69.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	506,600 mg

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Hoja de datos

SIR632DP-T1-RE3 Hoja de datos

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs feature V_DS voltages of 150V, 200V, and 250V in N-Channel polarity types. Package types include the TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263, and TO-220AB. The PowerPAK SO-8 packages achieve the best R_ds, Q_g, and Qoss by minimizing the package resistance and parasitic inductance. The SIR692DP 250V figure-of-merit (FOM) is 42% lower than prior generations. Applications for Vishay / Siliconix ThunderFET 150V to 250V MOSFETs include synchronous rectification, DC/DC converters, DC/AC inverters, and power supplies.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.