Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SI8819EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8819EDB-T2-E1
Price: 571 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-SI8819EDB-T2-E1

Fabricante N.º:

SI8819EDB-T2-E1

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Hoja de datos:

SI8819EDB-T2-E1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay Semiconductors SI8819EDB-T2-E1

En existencias: 246

Existencias:: 246

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 6.000

Se espera el 11-03-2027
Plazo de entrega de fábrica:: 72

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$571	$571
	$347	$3.470
	$226	$22.600
	$167	$83.500
	$149	$149.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$124	$372.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MicroFoot-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	900 mV
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	900 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	45,104 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SI8819EDB-T2-E1 Hoja de datos

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.