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RD3E08BBJHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3E08BBJHRBTL
Price: 3348 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3E08BBJHRBTL

Fabricante N.º:

RD3E08BBJHRBTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 30V 80A

Ciclo de vida:

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	$3.348	$3.348
	$2.186	$21.860
	$1.526	$152.600
	$1.310	$655.000
	$1.260	$1.260.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.231	$3.077.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	150 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	142 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	180 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	220 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.